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磨拋盤

磨拋盤

○ 進口德國單面磨拋設備用(yong)安卡研(yan)磨盤(pan)可(ke)(ke)以加(jia)工(gong)拋光液各種晶(jing)圓襯底,其平(ping)面度(du)可(ke)(ke)以達到(dao)3/4光圈,粗糙度(du)可(ke)(ke)以達到(dao)0.3納米的光學級水平(ping)。
○ 采用日本(ben)雙面磨可以減薄(bo)晶(jing)圓襯底,封裝后芯片等(deng)產(chan)品(pin)。晶(jing)圓最薄(bo)值(zhi)100納米。

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○ 進口(kou)德(de)國單面(mian)磨拋(pao)設備用安卡研磨盤可(ke)以加工(gong)拋(pao)光液各(ge)種晶圓(yuan)襯底,其平面(mian)度(du)可(ke)以達到(dao)3/4光圈,粗糙度(du)可(ke)以達到(dao)0.3納(na)米的光學級水(shui)平。
○ 采用日本雙面磨可以(yi)減薄(bo)晶(jing)圓襯底,封裝后(hou)芯片等產品(pin)。晶(jing)圓最薄(bo)值(zhi)100納(na)米。

○ 高分子研磨盤/高分子拋光盤
硅晶圓
氮化硅、碳化硅、襯底
藍寶石
光學微晶玻璃

○ 超軟光學玻璃/超軟金屬研拋
本公(gong)司已成功攜手國內數家知名高校、研究所、高新(xin)企(qi)業(ye),針對高、精(jing)、難(含非平面)項(xiang)目(mu)要求進行研磨工藝開發(fa),且取得矚(zhu)目(mu)成績。

a,光學元件研拋耗材特制
b,定制(zhi)研拋設備(bei)工藝方(fang)案(an)

○ 藍寶石拋磨最新工藝

○ DMP復合銅盤(4寸襯底特征)
切效率:1-1.2u/分鐘
粗糙度:8-13nm
切削液:水性類多晶
1小時拿下鑄鐵盤雙拋后的跑壞層

○ CMP復合銅盤(DMP后拋光)
切效率:4-6u/小時
粗糙度:0.2-0.3 (AFM)
拋光液:二氧化硅(150nm)
2小時內完成拋光

○ 光學玻璃拋光的克星2021快速研拋氧化鈰墊
本款拋光墊與傳統的氧化鈰聚氨酯相比有以下優勢:

a,切削率是傳統的- -倍又多,具備研磨拋光雙效能;
b,切削率自始至終是恒定的穩定的,直至拋光墊耗盡;
c,2021型拋光墊不會隨著加工量的增加漸漸產生變軟、切削變鈍的現象,墊子邵氏硬度為93度。
(尺寸(cun)可(ke)以做(zuo)到(dao)1500mm)

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